РФЯЦ – ВНИИТФ запатентовал драйвер управления силовыми транзисторами с повышенной помехоустойчивостью
Изобретение относится к устройствам сопряжения между цифровыми устройствами с силовыми МОП (металл – оксид – полупроводник) или IGBT (БТИЗ – биполярный транзистор с изолированными затворами) транзисторами.